Антава

WAYON

Транзистор WMB50P03TS

WMB50P03TS
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-50A
Pulsed drain current
-200A
Power dissipation
39W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMB50P03TS
ПроизводительWAYON
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-50A
Pulsed drain current-200A
Power dissipation39W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge45nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W

Документация

Документы пока не предоставлены.