WAYON

Транзистор WMB50N20JN

PDFN5060-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200 V
Drain current: 24 A
Pulsed drain current: 120 A
Power dissipation: 90 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	WMB50N20JN
Производитель	WAYON
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	200 V
Drain current	24 A
Pulsed drain current	120 A
Power dissipation	90 W
Корпус	PDFN5060-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	35 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	10nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Reverse recovery time	138ns

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; 138ns

Документация

Документ производителя