WAYON

Транзистор WMB40N20JN

PDFN5060-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200 V
Drain current: 21 A
Pulsed drain current: 110 A
Power dissipation: 89 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	WMB40N20JN
Производитель	WAYON
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	200 V
Drain current	21 A
Pulsed drain current	110 A
Power dissipation	89 W
Корпус	PDFN5060-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	46 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7.7nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Reverse recovery time	141ns

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; 141ns

Документация

Документ производителя