Антава

WAYON

Транзистор WMB35P06TS

WMB35P06TS
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-35A
Pulsed drain current
-140A
Power dissipation
59.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMB35P06TS
ПроизводительWAYON
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-35A
Pulsed drain current-140A
Power dissipation59.5W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance23mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge59nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -140A; 59.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.