WAYON
Транзистор WMB31430DN
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 56/130 A
- Рассеиваемая мощность
- 24/37.8 W
- Корпус
- PDFN5060D-8
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 90 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%245,67 ₽
Сумма · с НДС 22%245,67 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 245,67 ₽ | |
| от 10 | 229,53 ₽ | |
| от 25 | 206,22 ₽ | |
| от 100 | 190,08 ₽ | |
| от 500 | 184,70 ₽ | |
| от 3000 | 173,94 ₽ | |
| от 6000 | 163,18 ₽ | |
| от 12000 | 157,80 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMB31430DN |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 56/130 A |
| Рассеиваемая мощность | 24/37.8 W |
| Корпус | PDFN5060D-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 4.5/1.3 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 31.1/90nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Semiconductor structure | asymmetric |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.