Антава

WAYON

Транзистор WMB190N15HG4

WMB190N15HG4
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150V
Drain current
50A
Pulsed drain current
200A
Power dissipation
104.1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMB190N15HG4
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150V
Drain current50A
Pulsed drain current200A
Power dissipation104.1W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance19.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; Idm: 200A; 104.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.