Антава

WAYON

Транзистор WMB175DN10LG4

WMB175DN10LG4
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
39 A
Pulsed drain current
156 A
Рассеиваемая мощность
59.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 86 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%202,83 ₽

Сумма · с НДС 22%202,83 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1202,83 ₽
от 10165,99 ₽
от 25146,26 ₽
от 100136,21 ₽
от 500131,75 ₽
от 3000122,63 ₽
от 6000118,35 ₽
от 12000113,88 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMB175DN10LG4
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current39 A
Pulsed drain current156 A
Рассеиваемая мощность59.5 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 39A; Idm: 156A; 59.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.