Антава

WAYON

Транзистор WMB13N65EM

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
WMOS™ EM
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11 A
Power dissipation
31 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMB13N65EM
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияWMOS™ EM
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current11 A
Power dissipation31 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W

Документация

Документы пока не предоставлены.