WAYON
Транзистор WMB129N10T2
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 129 A
- Pulsed drain current
- 402 A
- Рассеиваемая мощность
- 127.5 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 92 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%208,06 ₽
Сумма · с НДС 22%208,06 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 208,06 ₽ | |
| от 10 | 197,37 ₽ | |
| от 25 | 174,88 ₽ | |
| от 100 | 162,13 ₽ | |
| от 500 | 156,70 ₽ | |
| от 3000 | 146,01 ₽ | |
| от 6000 | 140,77 ₽ | |
| от 12000 | 135,33 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMB129N10T2 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 129 A |
| Pulsed drain current | 402 A |
| Рассеиваемая мощность | 127.5 W |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 4.2 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 91nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.