WAYON
Транзистор WMB119N10LG2
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 50 A
- Pulsed drain current
- 148 A
- Power dissipation
- 75 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%163,98 ₽
Сумма · с НДС 22%163,98 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 163,98 ₽ | |
| от 10 | 107,54 ₽ | |
| от 25 | 96,67 ₽ | |
| от 100 | 85,80 ₽ | |
| от 500 | 79,32 ₽ | |
| от 3000 | 74,36 ₽ | |
| от 6000 | 68,83 ₽ | |
| от 12000 | 66,35 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMB119N10LG2 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 50 A |
| Pulsed drain current | 148 A |
| Power dissipation | 75 W |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 13 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 21nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.