Антава

WAYON

Транзистор WMB099N10LGS

WMB099N10LGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
44.3A
Pulsed drain current
280A
Power dissipation
96.1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMB099N10LGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current44.3A
Pulsed drain current280A
Power dissipation96.1W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance14mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge57.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44.3A; Idm: 280A; 96.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.