Антава

WAYON

Транзистор WMB099N10LG2

WMB099N10LG2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
248 A
Power dissipation
78 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMB099N10LG2
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current40 A
Pulsed drain current248 A
Power dissipation78 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 248A; 78W

Документация

Документы пока не предоставлены.