Антава

WAYON

Транзистор WMB099N10HGS

WMB099N10HGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
43 A
Pulsed drain current
272 A
Power dissipation
96.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%163,62 ₽

Сумма · с НДС 22%163,62 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1163,62 ₽
от 10111,34 ₽
от 25100,05 ₽
от 10088,58 ₽
от 50082,19 ₽
от 300076,73 ₽
от 600071,28 ₽
от 1200069,02 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMB099N10HGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current43 A
Pulsed drain current272 A
Power dissipation96.1 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge59nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 272A; 96.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.