Антава

WAYON

Транзистор WMB093N15HG4

WMB093N15HG4
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
95 A
Pulsed drain current
380 A
Power dissipation
178.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMB093N15HG4
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current95 A
Pulsed drain current380 A
Power dissipation178.5 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95A; Idm: 380A; 178.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.