WAYON
Транзистор WMB090N04LG2
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 40 V
- Drain current
- 33 A
- Pulsed drain current
- 200 A
- Power dissipation
- 32.9 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 211 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%132,96 ₽
Сумма · с НДС 22%132,96 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 132,96 ₽ | |
| от 10 | 67,62 ₽ | |
| от 25 | 55,85 ₽ | |
| от 100 | 49,01 ₽ | |
| от 500 | 45,59 ₽ | |
| от 3000 | 42,55 ₽ | |
| от 6000 | 39,51 ₽ | |
| от 12000 | 37,99 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMB090N04LG2 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40 V |
| Drain current | 33 A |
| Pulsed drain current | 200 A |
| Power dissipation | 32.9 W |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 15 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 6.5nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.