Антава

WAYON

Транзистор WMB090DN04LG2

WMB090DN04LG2
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
28.5 A
Pulsed drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
31.6 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 487 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%117,32 ₽

Сумма · с НДС 22%117,32 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1117,32 ₽
от 1071,65 ₽
от 2564,61 ₽
от 10057,03 ₽
от 50052,88 ₽
от 300049,27 ₽
от 600045,84 ₽
от 1200044,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMB090DN04LG2
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current28.5 A
Pulsed drain current180 A
Рассеиваемая мощность31.6 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 28.5A; Idm: 180A; 31.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.