WAYON
Транзистор WMB090DN04LG2
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 40 V
- Drain current
- 28.5 A
- Pulsed drain current
- 180 A
- Рассеиваемая мощность
- 31.6 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 487 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%117,32 ₽
Сумма · с НДС 22%117,32 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 117,32 ₽ | |
| от 10 | 71,65 ₽ | |
| от 25 | 64,61 ₽ | |
| от 100 | 57,03 ₽ | |
| от 500 | 52,88 ₽ | |
| от 3000 | 49,27 ₽ | |
| от 6000 | 45,84 ₽ | |
| от 12000 | 44,58 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMB090DN04LG2 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40 V |
| Drain current | 28.5 A |
| Pulsed drain current | 180 A |
| Рассеиваемая мощность | 31.6 W |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 16 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 5.6nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 28.5A; Idm: 180A; 31.6W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.