Антава

WAYON

Транзистор WMB080N10LG2

WMB080N10LG2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
46.8 A
Pulsed drain current
296 A
Power dissipation
84 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMB080N10LG2
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current46.8 A
Pulsed drain current296 A
Power dissipation84 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W

Документация

Документы пока не предоставлены.