Антава

WAYON

Транзистор WMB080N10HG2

WMB080N10HG2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
47 A
Pulsed drain current
296 A
Power dissipation
80.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 98 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%206,88 ₽

Сумма · с НДС 22%206,88 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1206,88 ₽
от 10148,20 ₽
от 25139,74 ₽
от 100123,19 ₽
от 500114,72 ₽
от 3000107,20 ₽
от 600099,68 ₽
от 1200095,73 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMB080N10HG2
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current47 A
Pulsed drain current296 A
Power dissipation80.6 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.