Антава

WAYON

Транзистор WMB080N03LG2

WMB080N03LG2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
25.5 A
Pulsed drain current
168 A
Power dissipation
30.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMB080N03LG2
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current25.5 A
Pulsed drain current168 A
Power dissipation30.4 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.