WAYON
Транзистор WMB072N12LG2-S
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 120 V
- Drain current
- 90 A
- Pulsed drain current
- 360 A
- Рассеиваемая мощность
- 118 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 95 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%226,92 ₽
Сумма · с НДС 22%226,92 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 226,92 ₽ | |
| от 10 | 215,67 ₽ | |
| от 25 | 187,54 ₽ | |
| от 100 | 180,04 ₽ | |
| от 500 | 170,66 ₽ | |
| от 3000 | 161,28 ₽ | |
| от 6000 | 159,41 ₽ | |
| от 12000 | 144,40 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMB072N12LG2-S |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 120 V |
| Drain current | 90 A |
| Pulsed drain current | 360 A |
| Рассеиваемая мощность | 118 W |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 7 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 52.5nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 118W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.