WAYON
Транзистор WMB060N08HG2
PDFN5060-8Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 80 V
- Drain current
- 82 A
- Pulsed drain current
- 328 A
- Power dissipation
- 75 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | WMB060N08HG2 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 80 V |
| Drain current | 82 A |
| Pulsed drain current | 328 A |
| Power dissipation | 75 W |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 6 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 41nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 328A; 75W; PDFN5060-8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.