Антава

WAYON

Транзистор WMB053NV8HGS

WMB053NV8HGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
85 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
400 A
Рассеиваемая мощность
107.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMB053NV8HGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage85 V
Drain current100 A
Pulsed drain current400 A
Рассеиваемая мощность107.8 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge76.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 100A; Idm: 400A; 107.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.