Антава

WAYON

Транзистор WMB049N12HG2

WMB049N12HG2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
66 A
Pulsed drain current
420 A
Power dissipation
113.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMB049N12HG2
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current66 A
Pulsed drain current420 A
Power dissipation113.6 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge67nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 66A; Idm: 420A; 113.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.