Антава

WAYON

Транзистор WMB043N10LGS

WMB043N10LGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
480 A
Рассеиваемая мощность
131.6 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 88 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%211,80 ₽

Сумма · с НДС 22%211,80 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1211,80 ₽
от 10199,62 ₽
от 25176,94 ₽
от 100164,01 ₽
от 500158,38 ₽
от 3000147,70 ₽
от 6000142,26 ₽
от 12000136,83 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMB043N10LGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
Pulsed drain current480 A
Рассеиваемая мощность131.6 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge111.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.