Антава

WAYON

Транзистор WMB043N10HGS

WMB043N10HGS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
480 A
Power dissipation
131.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 20 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%216,54 ₽

Сумма · с НДС 22%216,54 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1216,54 ₽
от 10202,87 ₽
от 25180,07 ₽
от 100166,97 ₽
от 500161,08 ₽
от 3000150,25 ₽
от 6000144,74 ₽
от 12000139,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMB043N10HGS
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
Pulsed drain current480 A
Power dissipation131.6 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge98.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.