Антава

WAYON

Транзистор WMB02DN10T1

WMB02DN10T1
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
14 A
Рассеиваемая мощность
6.94 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 475 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%132,08 ₽

Сумма · с НДС 22%132,08 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1132,08 ₽
от 1062,42 ₽
от 2552,11 ₽
от 10049,21 ₽
от 50043,42 ₽
от 300038,90 ₽
от 600036,37 ₽
от 1200034,20 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяWMB02DN10T1
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current3.5 A
Pulsed drain current14 A
Рассеиваемая мощность6.94 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.29 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W

Документация

Документы пока не предоставлены.