Антава

WAYON

Транзистор WMB027N08HG4

WMB027N08HG4
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
195 A
Pulsed drain current
780 A
Power dissipation
192.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMB027N08HG4
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current195 A
Pulsed drain current780 A
Power dissipation192.3 W
КорпусPDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge77.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.