WAYON
Транзистор WMB014N06LG4
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 278 A
- Pulsed drain current
- 1112 A
- Рассеиваемая мощность
- 183.8 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 990 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%202,82 ₽
Сумма · с НДС 22%202,82 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 202,82 ₽ | |
| от 10 | 191,21 ₽ | |
| от 25 | 169,63 ₽ | |
| от 100 | 157,10 ₽ | |
| от 500 | 151,93 ₽ | |
| от 3000 | 141,42 ₽ | |
| от 6000 | 136,26 ₽ | |
| от 12000 | 131,10 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WMB014N06LG4 |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 278 A |
| Pulsed drain current | 1112 A |
| Рассеиваемая мощность | 183.8 W |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.4 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 143.6nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.