Антава

WAYON

Транзистор WMAA6N80D1B

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
6A
Корпус
TO251
Gate-source voltage
±30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWMAA6N80D1B
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current6A
КорпусTO251
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.7Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.