WAYON

Транзистор WMAA4N65D1B

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	WMAA4N65D1B
Производитель	WAYON
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	WMOS™ D1
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650V
Drain current	4A
Pulsed drain current	16A
Power dissipation	77W
Корпус	TO251
Gate-source voltage	±30V
On-state resistance	2.2Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	14.5nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W

Документация

Документы пока не предоставлены.