Антава

WAYON

Транзистор WM10N35M2

WM10N35M2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
14 A
Power dissipation
1.65 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWM10N35M2
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current3.5 A
Pulsed drain current14 A
Power dissipation1.65 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23

Документация

Документ производителя