Антава

WAYON

Транзистор WM10N20M

WM10N20M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
8 A
Power dissipation
1.2 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWM10N20M
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation1.2 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.