Антава

WAYON

Транзистор WM03N01G

WM03N01G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
0.1A
Pulsed drain current
0.4A
Power dissipation
0.35W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWM03N01G
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current0.1A
Pulsed drain current0.4A
Power dissipation0.35W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge540pC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; Idm: 0.4A; 350mW; SOT323

Документация

Документ производителя