WAYON
Транзистор WM03DN06D
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 0.6 A
- Pulsed drain current
- 1.8 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.3 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 899 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%75,74 ₽
Сумма · с НДС 22%75,74 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 75,74 ₽ | |
| от 10 | 25,61 ₽ | |
| от 25 | 10,68 ₽ | |
| от 100 | 9,56 ₽ | |
| от 500 | 8,42 ₽ | |
| от 3000 | 7,59 ₽ | |
| от 6000 | 7,09 ₽ | |
| от 12000 | 6,67 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WM03DN06D |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 0.6 A |
| Pulsed drain current | 1.8 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.3 W |
| Корпус | SOT363 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 0.5 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 450pC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.