WAYON
Транзистор WM02P14G
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -1.4 A
- Pulsed drain current
- -5.6 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.3 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 990 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%73,28 ₽
Сумма · с НДС 22%73,28 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 73,28 ₽ | |
| от 10 | 24,18 ₽ | |
| от 25 | 10,41 ₽ | |
| от 100 | 7,20 ₽ | |
| от 500 | 6,50 ₽ | |
| от 3000 | 5,18 ₽ | |
| от 6000 | 4,78 ₽ | |
| от 12000 | 4,54 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WM02P14G |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -1.4 A |
| Pulsed drain current | -5.6 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.3 W |
| Корпус | SOT323 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 70 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 4.9nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -5.6A; 300mW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.