WAYON
Транзистор WM02P06G
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -660 mA
- Pulsed drain current
- -2.64 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.2 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 5 545 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%73,52 ₽
Сумма · с НДС 22%73,52 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 73,52 ₽ | |
| от 10 | 32,28 ₽ | |
| от 25 | 14,78 ₽ | |
| от 100 | 6,19 ₽ | |
| от 500 | 5,58 ₽ | |
| от 3000 | 4,43 ₽ | |
| от 6000 | 4,12 ₽ | |
| от 12000 | 3,89 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WM02P06G |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -660 mA |
| Pulsed drain current | -2.64 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.2 W |
| Корпус | SOT323 |
| Gate-source voltage | ±10 V |
| On-state resistance | 0.52 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 200mW
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.