WAYON
Транзистор WM02N08G
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 0.75 A
- Pulsed drain current
- 3 A
- Power dissipation
- 0.2 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 766 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%83,89 ₽
Сумма · с НДС 22%83,89 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 83,89 ₽ | |
| от 10 | 35,46 ₽ | |
| от 25 | 16,25 ₽ | |
| от 100 | 6,79 ₽ | |
| от 500 | 6,12 ₽ | |
| от 3000 | 4,86 ₽ | |
| от 6000 | 4,54 ₽ | |
| от 12000 | 4,27 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WM02N08G |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 0.75 A |
| Pulsed drain current | 3 A |
| Power dissipation | 0.2 W |
| Корпус | SOT323 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 0.45 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 200mW; SOT323
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.