WAYON
Транзистор WM02DP06T
Фото недоступно- Type of transistor
- P-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20V
- Drain current
- -660mA
- Pulsed drain current
- -2.64A
- Power dissipation
- 0.15W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | WM02DP06T |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20V |
| Drain current | -660mA |
| Pulsed drain current | -2.64A |
| Power dissipation | 0.15W |
| Корпус | SOT563 |
| Gate-source voltage | ±12V |
| On-state resistance | 0.52Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.