WAYON
Транзистор WM02DN095C
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 9.5 A
- Pulsed drain current
- 60 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.56 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 500 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%133,74 ₽
Сумма · с НДС 22%133,74 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 133,74 ₽ | |
| от 10 | 63,20 ₽ | |
| от 25 | 52,76 ₽ | |
| от 100 | 49,83 ₽ | |
| от 500 | 43,97 ₽ | |
| от 3000 | 39,39 ₽ | |
| от 6000 | 36,82 ₽ | |
| от 12000 | 34,63 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WM02DN095C |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 9.5 A |
| Pulsed drain current | 60 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.56 W |
| Корпус | DFN2030-6 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 9.4 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 22nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Semiconductor structure | common drain |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.