Антава

WAYON

Транзистор WM02DN08T

WM02DN08T
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
0.8A
Pulsed drain current
3A
Power dissipation
0.27W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWM02DN08T
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current0.8A
Pulsed drain current3A
Power dissipation0.27W
КорпусSOT563
Gate-source voltage±10V
On-state resistance0.25Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD

Документация

Документ производителя