WAYON
Транзистор WM02DN08D
Фото недоступно- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20V
- Drain current
- 0.8A
- Pulsed drain current
- 3A
- Power dissipation
- 0.3W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | WM02DN08D |
|---|---|
| Производитель | WAYON |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20V |
| Drain current | 0.8A |
| Pulsed drain current | 3A |
| Power dissipation | 0.3W |
| Корпус | SOT363 |
| Gate-source voltage | ±10V |
| On-state resistance | 0.25Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 1.1nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.