Антава

WAYON

Транзистор WM02DH08D

WM02DH08D
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20/-20 V
Drain current
750/-660 mA
Power dissipation
0.2 W
Корпус
SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWM02DH08D
ПроизводительWAYON
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20/-20 V
Drain current750/-660 mA
Power dissipation0.2 W
КорпусSOT363
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance380/520 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1/2.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD

Документация

Документ производителя