Антава

WEEN SEMICONDUCTORS

Транзистор WG50N65HFW1Q

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
227 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWG50N65HFW1Q
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность227 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge138nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.