WEEN SEMICONDUCTORS
Транзистор WG40N65DFWQ
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 40 A
- Power dissipation
- 125 W
- Корпус
- TO247-3
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 259 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%482,47 ₽
Сумма · с НДС 22%482,47 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 482,47 ₽ | |
| от 3 | 434,98 ₽ | |
| от 10 | 383,70 ₽ | |
| от 30 | 345,71 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | WG40N65DFWQ |
|---|---|
| Производитель | WEEN SEMICONDUCTORS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 40 A |
| Power dissipation | 125 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 120 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 173nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 95ns |
| Turn-off time | 378ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.