Антава

IXYS

Транзистор VVZB120-16IOX

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/thyristor/IGBT
Topology
3-phase diode-thyristor bridge, boost chopper
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
180 A
Корпус
V2-Pack
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяVVZB120-16IOX
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/thyristor/IGBT
Topology3-phase diode-thyristor bridge, boost chopper
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current180 A
КорпусV2-Pack
ApplicationInverter
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1.2kV

Документация

Документ производителя