VISHAY
Диод VTVS52GSMF-M3-08
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.4 kW
- Max. off-state voltage
- 52.2 V
- Breakdown voltage
- 60.76 V
- Max. forward impulse current
- 4.41 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | VTVS52GSMF-M3-08 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.4 kW |
| Max. off-state voltage | 52.2 V |
| Breakdown voltage | 60.76 V |
| Max. forward impulse current | 4.41 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | DO219AB, SMF |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 50nA |
| Технология | TransZorb® |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 400W; 60.76V; 4.41A; unidirectional; DO219AB,SMF
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.