Антава

VISHAY

Диод VTVS10GSMF-M3-08

VTVS10GSMF-M3-08
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.4 kW
Max. off-state voltage
10.3 V
Breakdown voltage
11.81 V
Max. forward impulse current
23.98 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяVTVS10GSMF-M3-08
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.4 kW
Max. off-state voltage10.3 V
Breakdown voltage11.81 V
Max. forward impulse current23.98 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO219AB, SMF
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current50nA
ТехнологияTransZorb®
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 400W; 11.81V; 23.98A; unidirectional; DO219AB,SMF

Документация

Документы пока не предоставлены.