Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор VT6M1T2CR

Фото уточняется
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20/-20V
Drain current
0.1/-0.1A
Pulsed drain current
0.4A
Power dissipation
0.15W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяVT6M1T2CR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20/-20V
Drain current0.1/-0.1A
Pulsed drain current0.4A
Power dissipation0.15W
КорпусVMT6
Gate-source voltage±8V, ±10V
On-state resistance3.5/3.8Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.1/-0.1A; Idm: 0.4A

Документация

Документы пока не предоставлены.