ROHM SEMICONDUCTOR
Диод VS4V8BU1ART7R
ДиодИзображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 1.1 kW
- Max. off-state voltage
- 4.8 V
- Breakdown voltage
- 4.85 V
- Max. forward impulse current
- 100 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 4 942 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%35,33 ₽
Сумма · с НДС 22%13 955,35 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 395 | 35,33 ₽ | |
| от 500 | 33,24 ₽ | |
| от 1000 | 31,72 ₽ | |
| от 4000 | 30,58 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | VS4V8BU1ART7R |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 1.1 kW |
| Max. off-state voltage | 4.8 V |
| Breakdown voltage | 4.85 V |
| Max. forward impulse current | 100 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 1 µA |
| Ёмкость | 0.48 nF |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -55...150 °C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 1.1kW; 4.85V; 100A; bidirectional; Ch: 1; -55÷150°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.