Антава

VISHAY

Транзистор VS-GT80DA120U

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
80 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяVS-GT80DA120U
ПроизводительVISHAY
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current80 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current170 A
TechnologyTrench
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 80A; SOT227B

Документация

Документ производителя